文献类型：期刊文章

作　　者：刘祖黎[1] 黄运米[2] 张雪锋[1] 魏合林[1] 姚凯伦[1]

机构地区：[1]华中科技大学物理系,武汉430074 [2]温州师范大学物理与电子技术学院,温州325027

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.10174023;90103034)资助项目

年　　份：2005

卷　　号：25

期　　号：5

起止页码：339-343

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2006029637370)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在一般的材料生长过程中,由于某些实验参数控制不当,比如生长过程中过高的沉积速率会导致局部的材料中出现孔洞,这种孔洞严重影响了薄膜材料的性能。本文以铜薄膜为例,利用动力学晶格蒙特卡罗方法,模拟了不同参数条件下对孔洞缺陷的影响。所研究的实验参数有:入射截止角、衬底温度和沉积速率。模拟结果表明:孔洞缺陷填充质量的好坏与实验参数有很大的关系。适当的参数有利于孔洞缺陷的完全填充,并且能避免孔洞内再次形成空洞。因此,可以通过优化工作参数来改善薄膜材料的质量,从而提高薄膜材料的性能。

关 键 词：薄膜生长 孔洞 蒙特卡罗

分 类 号：O411.3]