文献类型：期刊文章

作　　者：刘昌龙[1] 吕依颖[1] 尹立军[1]

机构地区：[1]天津大学理学院物理系

出　　处：《高能物理与核物理》

基　　金：天津大学人才引进启动基金(W50301);教育部留学回国基金(413147)~~

年　　份：2005

卷　　号：29

期　　号：11

起止页码：1107-1111

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005489513859)、核心刊

摘　　要：使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响。Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入剂量为2×10^(14)cm^(-2)。Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生:一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂量5×10^(16)cm^(-2),并经800℃退火1h;二是采用0.5MeV F或O离子辐照单晶Si到剂量5×10^(15)cm^(-2)。结果显示,不同方式产生的附加的空位型缺陷均能抑制注入的B原子在随后热激活退火中发生瞬间增强扩散效应,并且抑制的效果依赖于离子的种类和离子的能量。结合透射电子显微镜和卢瑟福背散射分析结果对以上抑制效应进行了定性的讨论。

关 键 词：单晶Si  空位型缺陷  B扩散  二次离子质谱仪  透射电子显微镜 离子辐照 热扩散 原子 注入剂量  卢瑟福背散射

分 类 号：O474]