文献类型：期刊文章

作　　者：林鸿溢[1] 武旭辉[1] 何宇亮[2] 褚一鸣[3]

机构地区：[1]北京理工大学电子工程系,北京100081 [2]北京航空航天大学物理系,北京100083 [3]中国科学院电子显微镜实验室,北京100080

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金资助的课题.

年　　份：1996

卷　　号：45

期　　号：4

起止页码：655-660

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜.利用高分辨率电子显微镜(HREM)、Raman散射谱(RSS)、扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型,其结果与实验符合得很好.

关 键 词：纳米 硅 薄膜  生长动力学

分 类 号：TN304.12] TN304.055