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期刊文章详细信息

电子束曝光中电子散射模型的优化  ( EI收录)  

Optimization of Electron Scattering Model in Electron Beam Lithography

  

文献类型:期刊文章

作  者:宋会英[1] 张玉林[1] 魏强[1] 孔祥东[1]

机构地区:[1]山东大学控制学院电子束研究所,济南250061

出  处:《微细加工技术》

基  金:国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90307003);山东省自然科学基金资助项目(Y2003G03);山东省科技攻关计划基金资助项目(022090105)

年  份:2005

期  号:3

起止页码:14-19

语  种:中文

收录情况:EI(收录号:2005479497937)、SCOPUS、普通刊

摘  要:提出了在0.1 keV^30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案。在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面。而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV<E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Joy修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Gryzinsky截面和Moller截面计算离散的能量损失率。发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高。

关 键 词:电子束曝光 散射模型 MONTE CARLO方法 二次电子

分 类 号:TN305.7]

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同被引文献:

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