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期刊文章详细信息

n+p组合结构臭氧气体传感器研究    

n+p Combined Structure Semiconductor Ozone Gas Sensor

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨留方[1] 谢永安[2] 李开毅[2] 吴兴惠[3] 赵怀志[4]

机构地区:[1]昆明理工大学材料与冶金工程学院,云南昆明650093 [2]玉溪师范学院物理与教育技术系,云南玉溪653100 [3]云南大学佐波传感技术研究中心,云南昆明650091 [4]昆明贵金属研究所,云南昆明650221

出  处:《仪表技术与传感器》

年  份:2005

期  号:10

起止页码:1-3

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:n+p型半导体气体传感器是基于气体传感器互补增强原理的一种新结构半导体气体传感器。该种传感器是由两种传导类型不同的敏感体A和B构成,A是n型半导体材料,B是p型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该种传感器灵敏度高、热稳定性好,在理论的指导下,通过实验和比较,获得了性能较好的n+p组合结构臭氧敏气体传感器。实验结果与理论分析符合得很好。

关 键 词:气体传感器 n+P组合结构  互补增强  灵敏度 热稳定性 臭氧

分 类 号:TP212.1]

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