文献类型：期刊文章

作　　者：孙振国[1] 瞿晓剑[2] 顾琳[2]

机构地区：[1]南京理工大学材料工程系,江苏南京210094 [2]江苏科技大学材料科学与工程学院,江苏镇江212003

出　　处：《材料科学与工艺》

年　　份：2005

卷　　号：13

期　　号：5

起止页码：474-476

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为在价电子结构层次研究代位固溶体与间隙固溶体强化差异的本质,建立了代位固溶体含溶质晶胞点阵常数的计算公式,以余(瑞璜)氏固体与分子经验电子理论为基础,按BLD(键距差分析方法)分析方法计算了代位固溶体含溶质晶胞的价电子结构.结果表明:代位固溶体中含溶质原子晶胞的nA值与不含溶质原子晶胞的nA值相差无几,而间隙固溶体中含溶质原子晶胞的nA值远高于不含溶质原子晶胞的nA值.这一信息从价电子结构的角度深刻揭示了两种固溶体强化程度存有严重差异的本质,从而把固溶体强化的机制追溯到固溶体的价电子结构.

关 键 词：固溶体 价电子结构 固溶强化

分 类 号：TG111.1]