期刊文章详细信息
用掺杂方法改变VO_2多晶薄膜相变温度研究
Change of Phase Transition Temperature of Polycrystalline Vanadium Dioxide Film by Doping Methods
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]江苏工业学院功能材料实验室,江苏常州213016
基 金：国家自然科学基金(60277019);江苏省自然科学基金(BK2005023)
年 份：2005
卷 号：17
期 号：3
起止页码：1-5
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度。研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar。W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能。
关 键 词：二氧化钒薄膜 掺杂改性 相变
分 类 号：TN213] O552.6]
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