文献类型：期刊文章

作　　者：于凤梅[1] 郭康贤[2] 王克强[1]

机构地区：[1]仲恺农业技术学院计算机与电子工程学院,广东广州510225 [2]广州大学桂花岗校区物理系,广东广州510405

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(60478010);广东省自然科学基金(04105406;2004B10301014)资助项目

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：5

起止页码：569-574

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。

关 键 词：非线性光学 光折射率改变  MORSE势阱 密度矩阵方法

分 类 号：O472.3]