期刊文章详细信息
栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响
The dependence of GGNMOS ESD robustness on its gate length
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华南理工大学微电子学系,广东广州510640 [2]信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室,广东广州510610
基 金：国家"十五"预研基金(41308060602);电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助
年 份：2005
卷 号：10
期 号：5
起止页码：93-96
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、JST、核心刊
摘 要：本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。
关 键 词：ESD GGNMOS MEDICI 器件仿真
分 类 号：TN402]
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