期刊文章详细信息
CMOS离子敏场效应管SPICE模型
SPICE model for CMOS ISFET
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]兰州大学微电子系,甘肃兰州730000 [2]苏州中科集成电路设计中心,江苏苏州215021
年 份：2005
卷 号：24
期 号：10
起止页码：16-18
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、核心刊
摘 要：完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。
关 键 词：离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序
分 类 号：TN4]
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