期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]苏州大学电子信息学院微电子学系,江苏苏州215021
基 金:江苏省教育厅自然科学研究基金资助项目(04KJB310126)
年 份:2005
卷 号:35
期 号:5
起止页码:482-485
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:聚焦芯片功耗密度、水平互连焦耳热和垂直互连焦耳热三种温升因素,构造二维和三维集成电路的热阻分析模型,基于2003年国际半导体技术发展路线图(2003-ITRS),计算二维和三维集成电路的热阻和温升参数,给出热阻二维图和温升三维图。分析结论为热阻参数是严重影响二维和三维集成电路发展的瓶颈。
关 键 词:热阻 温升 模型 三维集成电路
分 类 号:TN302]
参考文献:
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