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期刊文章详细信息

Bi_2O_3和V_2O_5复合掺杂BaTi_4O_9微波介质陶瓷    

Study on the BaTi_4O_9 Microwave Dielectric Ceramic Doped with Bi_2O_3 and V_2O_5

  

文献类型:期刊文章

作  者:凌栋[1] 徐国跃[1] 蔡绍[2]

机构地区:[1]南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016 [2]重庆科技学院电子信息工程学院,重庆400042

出  处:《电子元件与材料》

基  金:国防基础科研资助项目(J1300A002)

年  份:2005

卷  号:24

期  号:10

起止页码:11-13

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:研究了多元掺杂对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。通过单独添加烧结助剂Bi2O3和V2O5以及复合添加Bi2O3、V2O5来降低烧结温度,并且保持较好的微波介电性能。实验结果表明,当复合添加Bi2O3和V2O5各0.5%(质量分数)烧结温度为1160℃时,BaTi4O9微波介质陶瓷在2.5GHz下:εr为40.1,tgδ为6×10–4,τf为64×10–6℃–1,保持了良好的介电性能。

关 键 词:电子技术 BaTi4O9  微波介质陶瓷 低温烧结  

分 类 号:TN304]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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