期刊文章详细信息
CMOS亚阈型带隙电压基准的分析与设计
Sub-threshold Operation CMOS Bandgap Voltage Reference Design
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]东南大学无锡分校,南京210096 [2]上海南麟电子有限公司,上海200122
年 份：2005
卷 号：25
期 号：3
起止页码：375-378
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：带隙基准可提供近似零温度系数和大的电源电压抑制比的稳定电压基准,且与工艺基本无关。文中分析了M O SFET工作于强反型区与亚阈区的电压和电流限定条件,结合自偏置电路结构,给出了一种基于亚阈区的低功耗CM O S带隙基准电路的设计。
关 键 词：带隙 基准电压 亚阈区
分 类 号：TN431.1]
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