文献类型：期刊文章

作　　者：张晓松[1] 李岚[1] 陶怡[1] 徐征[2] 邹开顺[1]

机构地区：[1]天津理工学院材料物理研究所,天津300191 [2]北京交通大学光电子技术研究所,北京100044

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：天津市自然科学基金资助项目(013615211);天津理工学院科技发展基金资助项目(Lg04032);天津市重点学科资助项目

年　　份：2005

卷　　号：16

期　　号：9

起止页码：1040-1044

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005479497050)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能。因此,退火处理是提高ZnS:Zn,Pb荧光薄膜发光性能的有效方法之一。

关 键 词：ZnS:Zn,Pb薄膜  电子束蒸发 场发射显示器(FED)  退火处理

分 类 号：TN383.2]