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期刊文章详细信息

二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性    

Modification of Polycrystalline Vanadium Dioxide Film by Doping Methods

  

文献类型:期刊文章

作  者:谢太斌[1] 李金华[1] 谢建生[1] 但迪迪[1] 范利宁[1] 袁宁一[1]

机构地区:[1]江苏工业学院功能材料实验室,江苏常州213016

出  处:《红外技术》

基  金:国家自然科学基金(编号:60277019)江苏省自然科学基金(编号:BK2005023)资助项目

年  份:2005

卷  号:27

期  号:5

起止页码:393-398

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。

关 键 词:二氧化钒薄膜 掺杂改性 相变

分 类 号:TN213] O552.6]

参考文献:

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同被引文献:

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