文献类型：期刊文章

作　　者：朱顺明[1] 叶建东[1] 顾书林[1] 刘松民[1] 郑有炓[1] 张荣[1] 施毅[1]

机构地区：[1]江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G001CB3095);国家自然科学基金(批准号:60276011;60390073);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311060)资助项目~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：8

起止页码：1567-1571

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005419405814)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降.

关 键 词：氧化锌 掺杂 Burstein-Moss效应  能带重整化  金属有机化学气相外延  

分 类 号：TN304]