期刊文章详细信息
InSb磁敏电阻器导电机理及可靠性 ( EI收录)
Conduction Mechanism and Reliability of InSb Magnetoresistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]天津大学电子工程系
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：国家"七;五"科技攻关资助
年 份：1996
卷 号：17
期 号：2
起止页码：136-140
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1996323220362)、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文详细讨论了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的导电机理，在文献［１］、［２］的基础上，提出了提高它的灵敏度的途径．本文首次研究了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的可靠性，通过可靠性寿命试验，其失效率λ（ｔ）＜１×１０－５／ｈ．
关 键 词：INSB 磁敏电阻器 导电机理 可靠性 电阻器
分 类 号：TM54]
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