文献类型：期刊文章

作　　者：孙景志[1] 曹健[1] 李寒莹[1] 洪剑[1] 汪茫[1]

机构地区：[1]浙江大学高分子科学与工程系硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《高等学校化学学报》

基　　金：国家重大基础研究"九七三"计划项目(批准号:2002CB613401);国家自然科学基金(批准号:90101008)资助.

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：9

起止页码：1722-1725

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用以溶剂热方法合成的CdS纳米棒与酞菁氧钛复合制备的复合光导体,在570nm光照下其光电导性能明显提高,将质量分数为5%的CdS纳米棒与TiOPc复合使光敏性能提高32%.电子结构的数据和表面光电压谱分析结果表明,复合体系中存在从CdS纳米棒到TiOPc的光致空穴转移,TiOPc因被CdS纳米棒敏化而表现出高的光电导性能.

关 键 词：CDS纳米棒 复合材料 电荷转移 光敏性

分 类 号：O643]