期刊文章详细信息
MPCVD法加偏压下金刚石膜的成核行为
Nucleation behavior of diamond films under bias field by MPCVD
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海第二工业大学应用物理系,上海201209 [2]解放军理工大学理学院,江苏南京210007
年 份：2005
卷 号：27
期 号：4
起止页码：18-21
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：用微波等离子体化学气相沉积法(M PCVD),探讨了在S i(100)衬底上加偏压电场情况下金刚石膜的成核行为。侧向力显微(LFM)表明偏压电场对金刚石成核有促进作用,并分析了偏压电场促进金刚石成核的机制。
关 键 词：金刚石膜 成核 MPCVD 侧向力显微(LFM)
分 类 号：O484.1]
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