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期刊文章详细信息

一种二阶曲率补偿带隙基准的研究  ( EI收录)  

Second-Order Curvature Compensation Bandgap Reference

  

文献类型:期刊文章

作  者:吴国平[1] 黄年亚[1] 刘桂芝[1]

机构地区:[1]上海南麟电子有限公司,上海200122

出  处:《电子器件》

年  份:2005

卷  号:28

期  号:3

起止页码:696-698

语  种:中文

收录情况:CAS、EI(收录号:2005349313142)、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘  要:介绍了一种带隙基准曲率的二阶补偿技术,并给出了一款带二阶曲率补偿的基准电路。它利用了MOS管的亚阈区特性来抵消电路中Vbe(T)展开式的二阶项。该电路采用了0.6μm2Metal/2PolyCMOS工艺模型进行了仿真,给出了补偿前后的仿真结果,在-50~120℃范围内温度系数大约为10×10-6/℃。

关 键 词:带隙基准 曲率补偿 亚阈区  

分 类 号:TN432]

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同被引文献:

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