期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]上海南麟电子有限公司,上海200122
年 份:2005
卷 号:28
期 号:3
起止页码:696-698
语 种:中文
收录情况:CAS、EI(收录号:2005349313142)、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要:介绍了一种带隙基准曲率的二阶补偿技术,并给出了一款带二阶曲率补偿的基准电路。它利用了MOS管的亚阈区特性来抵消电路中Vbe(T)展开式的二阶项。该电路采用了0.6μm2Metal/2PolyCMOS工艺模型进行了仿真,给出了补偿前后的仿真结果,在-50~120℃范围内温度系数大约为10×10-6/℃。
关 键 词:带隙基准 曲率补偿 亚阈区
分 类 号:TN432]
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