文献类型：期刊文章

作　　者：任正云[1] 张红[2] 邵惠鹤[3]

机构地区：[1]东华大学自动化系,上海200051 [2]上海工程技术大学化工学院,上海200065 [3]上海交通大学自动化系,上海200030

出　　处：《控制理论与应用》

基　　金：国家十五863项目资助课题(2001-AA413130).

年　　份：2005

卷　　号：22

期　　号：4

起止页码：645-648

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用频率域模型降阶理论,提出了高阶时滞对象的预测PI(D)控制器两种设计方法.一种方法是直接将高阶滞后对象在频率域内降阶为低阶滞后对象,针对低阶滞后对象设计预测PI(D)控制器;另一种方法是按照规定的性能指标设计控制器,并将该控制器在频率域内降阶为具有预测PI(D)控制器的结构形式.这两种方法设计的控制器均具有结构简单、可调参数少、参数调节方便的特点.仿真表明:在模型失配的情况下,此两类预测PI(D)控制器仍然具有良好的控制性能和鲁棒稳定性能.

关 键 词：预测PI(D)  高阶时滞对象  模型降阶

分 类 号：TP13]