文献类型：期刊文章

作　　者：辛荣生[1] 林钰[2]

机构地区：[1]郑州大学材料科学与工程学院,河南郑州450052 [2]河南教育学院化学系,河南郑州450014

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：河南省科技攻关项目(001090210)

年　　份：2005

卷　　号：24

期　　号：9

起止页码：39-41

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响。结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70nm以上、溅射气压0.45Pa和溅射速率23nm/min左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10–4Ω.cm、可见光透过率80%以上。

关 键 词：半导体技术 ITO膜 磁控溅射 电阻率 透光率

分 类 号：TN304.055]