文献类型：期刊文章

作　　者：钟立志[1] 张维佳[1] 崔敏[1] 吴小文[1] 李国华[2] 丁琨[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：327-329

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2005399388346)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙。计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好。在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势。

关 键 词：纳米硅薄膜 折射率 吸收系数  光能隙  

分 类 号：TN304]