文献类型：期刊文章

作　　者：李炳乾[1]

机构地区：[1]佛山科技学院物理系,广东佛山528000

出　　处：《半导体光电》

基　　金：广东省自然科学基金项目(04011462);佛山市科技发展专项资金项目(04030021);佛山科技学院博士启动基金项目

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：314-316

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2005399388342)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0～0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.

关 键 词：大功率白光发光二极管  半导体照明 光通量 发光效率

分 类 号：TN383.1]