期刊文章详细信息
非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量 ( EI收录)
Measurements of Minority Generation Lifetime of MOS Structures with Nonuniformly Doped Substrate
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西北电讯工程学院微电子研究所
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1989
卷 号：10
期 号：7
起止页码：538-541
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1992090359280)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了三角波C-V技术测量非均匀掺杂MOs电容少子产生寿命的方法.该方法简单、且不需知道衬底的掺杂分布.
关 键 词：衬底 掺杂 MOS电容 少子 产生寿命
分 类 号：TN407]
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