文献类型：期刊文章

作　　者：孙强[1] 谢建军[2] 张涛[3]

机构地区：[1]郑州大学物理系,郑州450052 [2]复旦大学物理系,上海200433 [3]河南省科学技术协会,郑州450003

出　　处：《物理学报》

基　　金：复旦大学应用表面物理国家重点实验室基金;河南省科学技术委员会基金

年　　份：1995

卷　　号：44

期　　号：11

起止页码：1805-1813

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998014016381)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用EAM方法(embeded-atom method)研究H_2在Ni,Pd与Cu的(100),(110)与(111)面上的解离吸附.首先通过拟合单个H原子在Ni,Pd与Cu不同表面上的吸附能和吸附键长,得到H与这些金属表面相互作用的EAM势,然后计算H_2在这些表面上以不同方式进行解离吸附时的活化势垒E_a,吸附热q_(ad)与吸附键长R.并给出H_2在(110)面上解离吸附的势能曲线.计算结果表明H_2的解离吸附与衬底种类、衬底表面取向及解离方式有关.H_2在Ni表面上解离时活化势垒很低,而在Cu表面解离时活化势垒较高.H_2在开放的(110)面较易解离,而在密堆积的(111)面较难解离.在各种可能的解离途径中,H_2最倾向于沿着从桥位到相邻心位解离.

关 键 词：镍 铜  铅 EAM法  氢气 解离吸附

分 类 号：O552.33]