文献类型：期刊文章

作　　者：余明斌[1] 何宇亮[1] 刘洪涛[2] 罗晋生[3]

机构地区：[1]北京航空航天大学数理系,北京100083 [2]北京大学技术物理系,北京100871 [3]西安交通大学电子工程系,西安710049

出　　处：《物理学报》

年　　份：1995

卷　　号：44

期　　号：4

起止页码：634-639

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g^(opt)值变化之间的关系。

关 键 词：硅薄膜 纳米 退火性能  

分 类 号：TN304.12] O481.1]