文献类型：期刊文章

作　　者：张明[1] 董国胜[1] 徐敏[1] 陈艳[1] 金晓峰[1] 朱兴国[2]

机构地区：[1]复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]浙江大学基础部

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金资助的课题

年　　份：1995

卷　　号：44

期　　号：1

起止页码：115-121

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1996062757285)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.

关 键 词：亚稳态γ-Mn  GaAs(100)  界面  扩散 化学反应

分 类 号：O4[物理学类] O484