期刊文章详细信息
硅中氧行为研究的新进展
Progress of the Study on the Behaviors of Oxygen in Silicon
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海有色金属研究所
年 份：1995
卷 号：16
期 号：1
起止页码：39-47
语 种：中文
收录情况：CAS、普通刊
摘 要：本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的因素，即硅中氧行为，如硅中氧施主、氧沉淀及其衍生缺陷、硅片中的吸净层、硅片中的氧与翘曲的成因机制等，作了概要介绍。
关 键 词：硅 氧行为 缺陷 氧施主
分 类 号：O613.72]
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