期刊文章详细信息
二氧化锡材料气敏机理的研究 ( EI收录)
Study of Sensing Mechanism of Gas Sensitive SnO_2
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]天津大学电子工程系
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1989
卷 号：10
期 号：2
起止页码：124-131
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1992090315859)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文建立了氧离子陷阱势垒模型来说明多晶SnO_2材料的导电机制与气敏机理,推导出了不同情况下SnO_2灵敏度与还原性气体浓度的关系,以及影响该灵敏度的结构参数.实验结果表明,提出的模型能较好地解释SnO_2材料的各种气敏特性.
关 键 词：二氧化锡 多晶 气敏机理 氧离子
分 类 号：TN379]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
