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合金异相界面电子密度的计算 ( EI收录)
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]辽宁工学院材料工程系,锦州121001
年 份：1995
卷 号：40
期 号：24
起止页码：2219-2222
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：材料的表面与界面历来为人们所重视.利用原子间势能函数由最低能量去模拟晶界原子结构并考虑弛豫等因素的计算机模拟正陆续有文章发表.其中王崇愚院士成功地描述了缺陷复合体的原子结构及电子状态,在晶界偏析导致的脆化方面除S,P外又发现了Se等一些组元.程开甲院士在改进的TFD理论中提出了“固体中原子间的边界条件”.
关 键 词：余氏理论 界面 电子密度 合金 异相界面
分 类 号：TG131[材料类]
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