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期刊文章详细信息

奥氏体/马氏体异相界面的电子密度  ( EI收录)  

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘志林[1] 孙振国[1] 李志林[1]

机构地区:[1]辽宁工学院材料工程系,锦州121001

出  处:《科学通报》

年  份:1995

卷  号:40

期  号:22

起止页码:2040-2042

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:复相合金与复合材料中都存在着异相界面.改善基体与第二相界面的工作已成为材料研究中的重要课题.近年来在复合材料中提出的强界面结合及弱界面结合模型、基体与增强体相匹配的强化机理等在复相合金中也同样适用.这些研究涉及界面物理及界面化学,也包括界面的原子结构及电子状态.程开甲先生认为通常的TFD模型在材料设计、电子输运现象等实用领域中不完善,似乎是在处理原子条件中,特别是在固体中原子的边界条件处理上有一些错误,正确的边界条什是存在的,只是一直未找到.程开甲指出。

关 键 词:余氏理论 界面  奥氏体 马氏体 电子密度

分 类 号:TG111.5]

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