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期刊文章详细信息

低压等离子体结合热解法制备金刚石膜    

Diamond Film Growth by Low DC Voltage Plasma CVD Method Assisted with Thermolysis

  

文献类型:期刊文章

作  者:庞国锋[1] 石成儒[1] 韩惠雯[1]

机构地区:[1]杭州大学特种材料研究所,杭州半导体厂

出  处:《科技通报》

基  金:国家自然科学基金;浙江省自然科学基金

年  份:1995

卷  号:11

期  号:1

起止页码:1-6

语  种:中文

收录情况:ZGKJHX、普通刊

摘  要:金刚石膜具有与天然金刚石相似的优异特性,预计会有十分广阔的应用前景.本文介绍了一种新颖的金刚石膜生长技术─—强流电子增强化学气相沉积法(IECVD),它结合了传统的热丝法和等离子体法各自的优点,成为一种具有较高生长速率,能够制备大面积均匀金刚石膜的技术.对用这种方法制备的金刚石膜进行了喇曼、扫描电镜和X-Ray衍射分析,并对这项技术的优点作了阐述.

关 键 词:金刚石 膜  等离子体法 热解法 低压 生长  

分 类 号:O484.1]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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