文献类型：期刊文章

作　　者：刘端阳[1] 何大伟[1] 康凯[1] 刘春棠[1] 李少霞[1] 沈芳[1] 陶冶[2]

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所,信息存储和显示材料实验室,北京100044 [2]中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室,北京100039

出　　处：《光谱学与光谱分析》

基　　金：国家自然科学基金资助课题(59982001);北京市自然科学基金资助课题(2052019)

年　　份：2005

卷　　号：25

期　　号：7

起止页码：1034-1037

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005339305188)、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000231098900007)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000231098900007)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系, 具有R32的空间群, 掺入Ce3+, Tb3+杂质后, 其晶格结构没有变化. (Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb随着Gd3+摩尔浓度增大, 基质吸收带红移. Gd3+和Tb3+之间存在着很有效的能量传递. Gd3+摩尔浓度在一定范围内(0～0.75 mol)增大时, 样品在120～300 nm光谱范围内的激发强度均是增强的; 但是, Gd3+浓度过高造成Gd3+的发射增强, GdAl3(BO3)4:Tb在120～240 nm光谱范围内激发强度很明显下降. (Y,Gd)Al3(BO3)4:Ce, Tb在真空紫外激发下, 发现Tb3+的发光明显的被Ce3+猝灭.

关 键 词：(Y,Gd)Al3(BO3)4  PDP(等离子平板显示器)  VUV(真空紫外)  猝灭

分 类 号：TQ174] O65]