文献类型：期刊文章

作　　者：陈亚军[1] 康琳[1] 蔡卫星[1] 施建荣[1] 赵少奇[1] 吉争鸣[1] 吴培亨[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京210093

出　　处：《低温物理学报》

年　　份：2005

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：207-210

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.

关 键 词：NbN,AIN  磁控溅射  XRD  C轴取向 NbN薄膜  AIN薄膜 生长研究  单晶结构 制备研究  直流溅射法  工艺过程  工艺条件  溅射设备

分 类 号：O484.1] TN304.055[物理学类]