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期刊文章详细信息

CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型  ( EI收录)  

A Theoretical Model for a Capacitive Humidity Sensor Compatible with CMOS Technology

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈军宁[1] 于峰崎[2] 王阳[1] 柯导明[1]

机构地区:[1]安徽大学电子系,合肥230039 [2]苏州中科集成电路设计中心,苏州215021

出  处:《Journal of Semiconductors》

基  金:国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA404010)~~

年  份:2005

卷  号:26

期  号:7

起止页码:1374-1378

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导,物理建模和模拟仿真.该湿度传感器是采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质.通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化,考虑其电场分布,对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟.利用Matlab软件对理论模型进行仿真,结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果.

关 键 词:湿度传感器 电容  介电常数 聚酰亚胺 灵敏度

分 类 号:TP212]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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