文献类型：期刊文章

作　　者：敖建平[1] 何青[1] 孙国忠[1] 刘芳芳[1] 黄磊[1] 李薇[1] 李凤岩[1] 孙云[1] 薛玉明[1]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA513021);江西省自然科学基金(批准号:0120024)资助项目~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：7

起止页码：1347-1352

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005329292415)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.

关 键 词：化学水浴沉积  CDS CIGS太阳电池  晶相结构

分 类 号：TN305]