期刊文章详细信息
多晶硅薄膜后氢化的研究
Post-Hydrogenation of Poly-Si Thin Films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]天津运输工程学院基础部
年 份：1995
卷 号：15
期 号：2
起止页码：154-154
语 种：中文
收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对a－Si及poly－Si薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件。对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量、分析。结果表明氢气射频等离子体辉光放电技术能明显改善材料的性能。利用后氢化技术对poly－SiTFT器件进行了处理，获得了满意的效果。
关 键 词：后氢化 多晶硅 薄膜场效应管
分 类 号：TN304.055]
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