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边缘增锐型相移光刻技术的研究及其数值模拟 ( EI收录)
The Study and Computer Simulation of the Side Enchancement Phase-Shift Photolithgraphy
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京邮电大学应用科技系,中科院微电子中心研究部
年 份：1995
卷 号：6
期 号：3
起止页码：183-186
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、SCOPUS、核心刊
摘 要：相移光刻技术可以提高光刻设备的分辨率，为制作二元光学器件及超大规模集成电路提供了更强的技术力量，本文简单介绍相移光刻技术的基本原理，用自编的软件通过数值模拟对边缘增锐相移光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线投影曝光机的边缘增锐型相移掩模的设计参数。
关 键 词：相移光刻技术 边缘增锐型 光学器件
分 类 号：TN305.7]
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