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制备SnO_2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响 ( EI收录)
The Optical and Electrical Properties for SnO_2 Film Effected by H_2O as Starting Material in Preparing SnO_2 Thin Film
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]武汉工业大学新材料研究所
年 份：1995
卷 号：26
期 号：6
起止页码：502-504
语 种：中文
收录情况：CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：用无水ＳｎＣｌ＿４和ＳｎＣｌ＿４·５Ｈ＿２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ＿２薄膜，在基片温度为５３０℃时，对所制得ＳｎＯ＿２薄膜进行Ｘ－射线、ＳＥＭ分析，并对其光电性质进行测定。总结出含Ｈ＿２Ｏ的ＳｎＣｌ＿４制得的ＳｎＯ＿２薄膜生长速度快，电阻率低。
关 键 词：薄膜 透明导电膜 四氯化锡 二氧化锡
分 类 号：O484] TN304.21[物理学类]
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