文献类型：期刊文章

作　　者：梅显秀[1] 张庆瑜[1] 马腾才[1] 杨大智[1] 陈遐[1] 王煜明[1] 滕凤恩[1]

机构地区：[1]三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学分部,吉林大学材料科学系

出　　处：《大连理工大学学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目三束材料改性国家重点实验室资助项目

年　　份：1995

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：623-627

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、MR、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入射的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。俄歇深度分析表明，薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成，ＸＰＳ得出薄膜主要以ＴａＮ形式存在；薄膜电阻稳定，不随温度变化。膜基结合性能好，膜内应力小；２５ｋｅＶ能量离子轰击制得薄膜内应力最小，结合最好。

关 键 词：薄膜  氮化钽薄膜  离子束辅助沉积 制备  

分 类 号：O484.1]