期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京邮电大学研究生院,北京100088 [2]北京邮电大学科技处,北京100088
年 份:1995
卷 号:18
期 号:1
起止页码:73-78
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要:在双极柱坐标系中,建立了部分导体柱受均匀外电场E_0激励的数学模型,并给出了这一问题的扰动电场和渗透电场的解析计算公式.在特殊情况下得到了接地平面上部分导体柱,开槽柱形壳及开缝无限大平板在均匀外电场激励下的解析计算公式.这些典型情况下的结果验证了本文公式对一般性部分导体柱受均匀外电场激励的正确描述.最后,还给出了少量的数值计算结果.
关 键 词:静电场 静电屏蔽 导体柱
分 类 号:O441.1]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...