文献类型：期刊文章

作　　者：张晓丹[1,2,3] 赵颖[1,2,3] 高艳涛[1,2,3] 朱锋[1,2,3] 魏长春[1,2,3] 孙建[1,2,3] 耿新华[1,2,3] 熊绍珍[1,2,3]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071 [3]南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);教育部国际科技合作项目(批准号:2002DFG00051);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA303261)资助的课题.~~

年　　份：2005

卷　　号：54

期　　号：8

起止页码：3910-3914

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005339305510)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000230736400077)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000230736400077)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.

关 键 词：微晶硅薄膜 稳定性研究  结构  化学气相沉积技术  衬底温度 傅里叶变换  等离子体增强 二次离子质谱 红外吸收  测试分析  制备材料  甚高频  氢含量  氧含量  后氧化

分 类 号：O484] O471[物理学类]