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高性能微波暗室设计中的技术考虑
The technologies for use in design of anechoic chamber with higher quality
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国船舶重工集团公司第七○一研究所国防科技电磁兼容性重点实验室,湖北武汉430064
年 份：2005
卷 号：27
期 号：3
起止页码：77-80
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、ZGKJHX、核心刊
摘 要：在高性能微波暗室技术设计中,由于静区指标较高,采用一般的几何光学技术不能进行准确计算,因此需采用几何绕射理论技术。本文对该技术在暗室设计中的应用进行了初步探讨。此外,在以前分析计算吸波材料的反射率与入射角的关系时,常采用性线插值法,这会引入较大的设计误差。本文运用电磁场理论推导出了反射率与入射角之间的函数关系。通过对比分析表明,新的函数关系可以消除设计误差。
关 键 词：微波暗室 静区指标 几何绕射理论 反射率
分 类 号：O43]
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