文献类型：期刊文章

作　　者：凌志远[1] 邱文辉[1] 王科[1]

机构地区：[1]华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系,广东广州510640

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2005

卷　　号：24

期　　号：8

起止页码：31-34

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结构,随Sb2O3掺入量增加,平均晶粒尺寸保持稳定,压电活性减弱;Sb2O3掺入量为1.9%～2.0%处,压电活性最强。主要性能指标:εr为1925,tgδ为2.35×10–2,d33为440pC/N,kp为64%,Qm为70,tC为300℃。

关 键 词：无机非金属材料 锆钛酸铅 掺杂 显微结构  压电性能

分 类 号：TM22[材料类]