文献类型：期刊文章

作　　者：刘畅[1] 王鸥[1] 袁菁[1] 钟志亲[1] 龚敏[1]

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都610064

出　　处：《光散射学报》

年　　份：2005

卷　　号：17

期　　号：2

起止页码：159-163

语　　种：中文

收录情况：ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。

关 键 词：GaN光敏器件  电子辐照 紫外探测器 肖特基二极管 辐照失效  金属/半导体界面  

分 类 号：O472.3]