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期刊文章详细信息

0.4μm条宽的光刻    

PHotolithography of 0. 4μm Linewidth

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘明大[1] 李淑文[1] 史素姣[1]

机构地区:[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林工业大学

出  处:《半导体光电》

年  份:1994

卷  号:15

期  号:4

起止页码:336-339

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:文章讨论了MJB3UV300型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进,消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用,实现了边缘整齐陡直、0.4μm条宽的光刻。

关 键 词:光刻 亚微米光刻  光刻胶 ULSI OEIC

分 类 号:TN470.57]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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