文献类型：期刊文章

作　　者：姜恩永[1] 陈逸飞[1] 李志青[1] 白海力[1]

机构地区：[1]天津大学现代材料物理研究所,天津300072

出　　处：《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50072015);教育部专项研究博士点基金资助项目(20020056018).

年　　份：2005

卷　　号：38

期　　号：7

起止页码：573-576

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.

关 键 词：FE-N薄膜 饱和磁化强度 射频磁控溅射

分 类 号：O482.54[材料类]