文献类型：期刊文章

作　　者：孙小松[1] 余洲[1] 王帅[2] 杨治美[2] 晋勇[1] 何毅[3] 杨文彬[1] 龚敏[2]

机构地区：[1]四川大学材料科学系,四川成都610064 [2]四川大学微电子技术四川省重点实验室,四川成都610064 [3]四川大学分析测试中心,四川成都610064

出　　处：《半导体光电》

基　　金：四川省科技厅应用基础研究项目(01GY051-21).

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：3

起止页码：216-218

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2005309266030)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在nSi(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线。X射线衍射分析的结果表明,ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征。扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100nm,长度为2～5μm。讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理。

关 键 词：ZNO纳米线 化学气相沉积 催化辅助生长技术  定向生长  XRD SEM

分 类 号：TN304.21]