期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京邮电大学应用科技系,北京师范大学物理系,中国科学院微电子中心研究部
基 金:863计划资助项目
年 份:1994
卷 号:4
期 号:11
起止页码:24-28
语 种:中文
收录情况:CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要:相移掩模方法是一种新的光刻技术,它可以提高现有光刻设备的分辨率,使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理,用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性,导出了一维成象的简化公式,对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。
关 键 词:相移掩模 光刻 数值模拟 超大规模 集成电路
分 类 号:TN470.2]
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